Текущая частота стандарта Qi для беспроводной зарядки находится в пределах 100-200k. На этой частоте проницаемость нанокристаллов очень близка к проницаемости аморфных материалов на основе кобальта, что значительно выше, чем у аморфных материалов и ферритов на основе железа. Наоборот, потери значительно ниже, чем у железа на основе аморфного и ферритового.

Нанокристаллы также имеют преимущества в температурных применениях. Нанокристаллы не только шире по температуре применения, чем аморфные и ферритовые на основе кобальта, но и стабильность нанокристаллов также значительно лучше, чем у феррита в диапазоне от -40 ℃ до 120 ℃ тела.

Нанокристаллы также имеют очевидные преимущества при разработке магнитных материалов. Нанокристаллы могут направленно управлять магнитной проницаемостью и антинасыщающим магнитным полем. Проницаемость нанокристаллов можно регулировать по желанию в пределах 1000-30000. Конструкция магнитных материалов требует, чтобы при определенном рабочем токе не достигалось магнитное насыщение. Как только магнитное насыщение будет достигнуто, он перестанет работать. Нанокристаллическое регулируемое антинасыщающее магнитное поле может достигать 30–350 А/м, что расширяет область применения беспроводной зарядки.

Сравнение между несколькими нанокристаллами на основе железа и аморфными кристаллами на основе железа, аморфными материалами на основе кобальта и ферритом: Плотность магнитного потока насыщения: нанокристаллы на основе железа значительно лучше, чем на основе кобальта, за исключением несколько ниже, чем на основе аморфного железа и феррита;

Нанокристаллы лучше других материалов с точки зрения коэрцитивной силы, начальной проницаемости, коэффициента магнитострикции насыщения, температуры Кюри и скорости изменения производительности. Следовательно, нанокристаллы являются лучшим магнитомягким материалом.

Тенденция развития нанокристаллических

Поскольку электронные продукты развиваются в направлении высокой частоты, энергосбережения, малого размера и интеграции, частота применения также увеличивается, а полосы обновляются от поколения к поколению. От первоначального традиционного процесса изготовления ленты (текущий уровень отечественного производства) с толщиной 22-30 мкм теперь лента развилась до третьего и четвертого поколений. Передовой процесс изготовления ленты (международный передовой уровень производства) может достигать 14-22 мкм. И освоил технологию изготовления более тонкой ленты. Тенденцией развития нанокристаллических лент являются ультратонкие ленты.

Характеристики сверхтонкой нанокристаллической ленты: чем тоньше лента, тем меньше потери.

Реформирован процесс массового производства магнитопроводящих листов. С момента массового производства магнитопроводящих листов в 2015 году процесс продолжал меняться, постепенно переходя от листа к рулону, что значительно повышало эффективность производства и удовлетворяло растущий спрос.